19 octobre 2021 Pierre Perrin-Monlouis
Les mémoires Flash NAND haute densité de ST sont disponibles : des solutions de stockage à coût optimisé pour pilotes USB Flash, équipements numériques grand public, lecteurs MP3, appareils photo et téléphones portables 3G
Genève, le 30 mars 2004 – STMicroelectronics produit aujourd’hui en volume des mémoires Flash NAND d’une densité de 1Gbit et 512Mbits, les premiers circuits du portefeuille de mémoires NAND de la société. Les mémoires NAND1G et NAND512, toutes deux disponibles en versions 1,8 V et 3 V, sont maintenant livrées en volume.
La demande de mémoires Flash NAND est stimulée par l’émergence de produits multimédias. Leurs principaux domaines d’applications devraient connaître une croissance forte en 2004. Les mémoires Flash NAND sont adaptées aux petits équipements produits en série nécessitant de grands volumes de stockage, comme les composants de stockage amovibles pour appareils photo numériques, lecteurs MP3, assistants numériques personnels (PDAs) et téléphones portables de troisième génération (3G).
Les mémoires NAND1G et NAND512 de ST associent un très haut débit de données – critère clé pour les applications de mémorisation de masse – et la haute densité, le temps d’écriture rapide et la faible consommation exigés par les équipements portables. Elles sont disponibles en deux versions, pour les alimentations sous 3V (NAND01GW3A, NAND512W3A) et 1,8 V (NAND01GR3A, NAND512R3A), les deux grands variantes utilisées sur le marché.
Informations complémentaires sur les mémoires NAND512 et NAND1G
Les mémoires NAND512 et NAND1G sont respectivement organisées en 32 pages X 4096 blocs nominaux et 32 pages X 8192, pouvant être lus et programmés en totalité. La vitesse d’effacement de bloc est de seulement 2 ms. La taille de la page est de 528 octets (+ 16 libres) ou de 264 mots (+ 8 libres), en fonction de la largeur du bus (x 8 ou x 16). Les octets libres sont généralement utilisés pour les codes de correction d’erreurs, les ” flags ” logiciels ou les identifications de blocs défaillants. Le mode ” Copy-Back Program ” permet de programmer directement les données stockées dans une page vers une autre page sans tampon externe. Cette fonction est généralement utilisée pour déplacer les données en cas de défaillance d’une programmation de page due à un bloc défectueux. Chaque bloc est spécifié pour 100 000 cycles de programmation et effacement et une conservation des données de 10 ans.
Les lignes d’adresse et les signaux Entrée/sortie des données sont multiplexés sur un bus 8 bits, ce qui réduit le nombre de broches et permet d’utiliser un brochage modulaire facilitant les mises à niveau du système vers des dispositifs de densité supérieure, sans modifier l’encombrement. Chaque mémoire dispose d’une fonction ” Cache Program “, qui augmente le débit pour les fichiers volumineux. Ce ” Cache Program ” charge les données dans une mémoire cache pendant que les données précédentes sont transférées vers le tampon de la page et programmées dans le réseau mémoire.
Les options disponibles incluent les modes ” Automatic Page 0 Read-after Power Up “, destiné aux applications qui s’initialisent à partir de la mémoire NAND, et ” Chip Enable Don’t Care “, qui permet au microcontrôleur de gérer les opérations NAND plus efficacement. La seconde option simplifie également l’utilisation de la mémoire Flash NAND quand elle est associée à d’autres types de mémoires, du type NOR et SRAM. De telles combinaisons sont souvent utilisées lorsque des circuits plus rapides sont nécessaires pour la mémorisation du code et de l’exécution, mais aussi lorsqu’une mémoire NAND bien moins coûteuse et de plus grande densité est préférable, pour le stockage de fichiers musicaux ou d’images, par exemple.
Un numéro d’identification unique peut être programmé en usine. Un numéro de série programmable par l’utilisateur assure un niveau de sécurité accru dans l’application cible. Des algorithmes logiciels de référence ” Open Source ” sont disponibles pour prolonger la durée de vie de la mémoire :
code de correction d’erreur (ECC), afin d’identifier et corriger des erreurs dans les données ;
gestion de blocs erronés (BBM), pour reconnaître et remplacer un bloc déficient lors des opérations d’effacement ou de programmation, en copiant les données qu’il contient dans un bloc valide ;
” Garbage Collection “, pour identifier et supprimer les pages non valides dans un bloc et copier des pages valides dans une zone libre d’un autre bloc ;
” Wear Leveling “, destiné à optimiser le vieillissement de la mémoire, en répartissant les opérations d’effacement et de programmation entre tous les blocs.
STMicroelectronics en bref
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d’applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l’avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2002, ST a réalisé un chiffre d’affaires net de 6,32 milliards de dollars et un résultat net de 429,4 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com
